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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNTHD4502NT1G
NTHD4502NT1G Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTHD4502NT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTHD4502NT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTHD4502NT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
NTHD4502N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4090

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Anzahl

Spezifikation

NTHD4502NT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTHD4502NT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTHD4502NT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ChipFET™  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 2.9A, 10V  
Leistung - max 640mW  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.2A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer NTHD4502  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTHD4502NT1G.

Produkteigenschaften NTHD4502NT1G NTHD4401PT3G NTHD4401PT1 NTHD5903T1
Artikelnummer NTHD4502NT1G NTHD4401PT3G NTHD4401PT1 NTHD5903T1
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 2.9A, 10V 155mOhm @ 2.1A, 4.5V 155mOhm @ 2.1A, 4.5V -
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA -
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) -
Leistung - max 640mW 1.1W 1.1W -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 15V 300pF @ 10V 300pF @ 10V -
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 20V 20V -
Grundproduktnummer NTHD4502 NTHD44 NTHD44 NTHD59
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V 6nC @ 4.5V 6nC @ 4.5V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.2A 2.1A 2.1A -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Supplier Device-Gehäuse ChipFET™ ChipFET™ ChipFET™ -

NTHD4502NT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NTHD4502NT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTHD4502NT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Obsolete Notice 15/Dec/2022.pdf
Datenblätter
NTHD4502N.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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