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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTHD5904NT1
NTHD5904NT1 Image
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NTHD5904NT1 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTHD5904NT1
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTHD5904NT1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
NTHD5904N.pdf
vorrätig: 3920

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Anzahl

Spezifikation

NTHD5904NT1 Tech -Spezifikationen
onsemi - NTHD5904NT1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTHD5904NT1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ChipFET™  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.3A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 640mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 465 pF @ 16 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Ta)  
Grundproduktnummer NTHD59  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTHD5904NT1.

Produkteigenschaften NTHD5904NT1 NTHD5904NT1G NTHL040N65S3F NTHL040N120SC1
Artikelnummer NTHD5904NT1 NTHD5904NT1G NTHL040N65S3F NTHL040N120SC1
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 5V @ 6.5mA 4.3V @ 10mA
Grundproduktnummer NTHD59 NTHD59 NTHL040 NTHL040
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide)
Verlustleistung (max) 640mW (Ta) 640mW (Ta) 446W (Tc) 348W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 10V 20V
Vgs (Max) ±8V ±8V ±30V +25V, -15V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 465 pF @ 16 V 465 pF @ 16 V 5940 pF @ 400 V 1781 pF @ 800 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 650 V 1200 V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Ta) 2.5A (Ta) 65A (Tc) 60A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead TO-247-3 TO-247-3
Serie - - SuperFET® III -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V 6 nC @ 4.5 V 158 nC @ 10 V 106 nC @ 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.3A, 4.5V 65mOhm @ 3.3A, 4.5V 40mOhm @ 32.5A, 10V 56mOhm @ 35A, 20V
Supplier Device-Gehäuse ChipFET™ ChipFET™ TO-247-3 TO-247-3

NTHD5904NT1 Datenblatt PDF

Laden Sie NTHD5904NT1 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTHD5904NT1 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 03/Jan/2008.pdf
Datenblätter
NTHD5904N.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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