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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTHD5904NT1G
NTHD5904NT1G Image
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NTHD5904NT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTHD5904NT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTHD5904NT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
NTHD5904N.pdf
vorrätig: 4490

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Spezifikation

NTHD5904NT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTHD5904NT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTHD5904NT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ChipFET™  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.3A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 640mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 465 pF @ 16 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Ta)  
Grundproduktnummer NTHD59  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTHD5904NT1G.

Produkteigenschaften NTHD5904NT1G NTHD4P02FT1G NTHL040N65S3F NTHL040N120SC1
Artikelnummer NTHD5904NT1G NTHD4P02FT1G NTHL040N65S3F NTHL040N120SC1
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 465 pF @ 16 V 300 pF @ 10 V 5940 pF @ 400 V 1781 pF @ 800 V
Supplier Device-Gehäuse ChipFET™ ChipFET™ TO-247-3 TO-247-3
Verlustleistung (max) 640mW (Ta) 1.1W (Tj) 446W (Tc) 348W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.3A, 4.5V 155mOhm @ 2.2A, 4.5V 40mOhm @ 32.5A, 10V 56mOhm @ 35A, 20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V 6 nC @ 4.5 V 158 nC @ 10 V 106 nC @ 20 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 650 V 1200 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Ta) 2.2A (Tj) 65A (Tc) 60A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±8V ±12V ±30V +25V, -15V
FET-Merkmal - Schottky Diode (Isolated) - -
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead TO-247-3 TO-247-3
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 5V @ 6.5mA 4.3V @ 10mA
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer NTHD59 NTHD4 NTHL040 NTHL040
Serie - - SuperFET® III -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 10V 20V

NTHD5904NT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NTHD5904NT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTHD5904NT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 14/Apr/2010.pdf
Datenblätter
NTHD5904N.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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