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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTHL040N65S3F
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTHL040N65S3F - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTHL040N65S3F
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTHL040N65S3F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
NTHL040N65S3F.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3323

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Anzahl

Spezifikation

NTHL040N65S3F Tech -Spezifikationen
onsemi - NTHL040N65S3F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTHL040N65S3F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 6.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie SuperFET® III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 32.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 446W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5940 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 158 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 65A (Tc)  
Grundproduktnummer NTHL040  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTHL040N65S3F.

Produkteigenschaften NTHL040N65S3F NTHD5904NT1 NTHL040N120SC1 NTHD4P02FT1G
Artikelnummer NTHL040N65S3F NTHD5904NT1 NTHL040N120SC1 NTHD4P02FT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5940 pF @ 400 V 465 pF @ 16 V 1781 pF @ 800 V 300 pF @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 65A (Tc) 2.5A (Ta) 60A (Tc) 2.2A (Tj)
Grundproduktnummer NTHL040 NTHD59 NTHL040 NTHD4
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 32.5A, 10V 65mOhm @ 3.3A, 4.5V 56mOhm @ 35A, 20V 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (Max) ±30V ±8V +25V, -15V ±12V
Serie SuperFET® III - - -
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 6.5mA 1.2V @ 250µA 4.3V @ 10mA 1.2V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 20 V 1200 V 20 V
Verlustleistung (max) 446W (Tc) 640mW (Ta) 348W (Tc) 1.1W (Tj)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 8-SMD, Flat Lead TO-247-3 8-SMD, Flat Lead
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 ChipFET™ TO-247-3 ChipFET™
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 2.5V, 4.5V 20V 2.5V, 4.5V
FET-Merkmal - - - Schottky Diode (Isolated)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 158 nC @ 10 V 6 nC @ 4.5 V 106 nC @ 20 V 6 nC @ 4.5 V

NTHL040N65S3F Datenblatt PDF

Laden Sie NTHL040N65S3F PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTHL040N65S3F - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019.pdf
PCN -Verpackung
Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site 17/May/2023.pdf
Datenblätter
NTHL040N65S3F.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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