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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNTLLD4901NFTWG
onsemi
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NTLLD4901NFTWG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTLLD4901NFTWG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTLLD4901NFTWG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-WDFN Exposed Pad
Datenblatt
NTLLD4901NF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5120

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Anzahl

Spezifikation

NTLLD4901NFTWG Tech -Spezifikationen
onsemi - NTLLD4901NFTWG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTLLD4901NFTWG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3x3)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.4mOhm @ 9A, 10V  
Leistung - max 800mW, 810mW  
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 605pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A, 6.3A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer NTLLD4901  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTLLD4901NFTWG.

Produkteigenschaften NTLLD4901NFTWG NTLTD7900ZR2G NTLUD3A50PZTAG NTLUD3A260PZTAG
Artikelnummer NTLLD4901NFTWG NTLTD7900ZR2G NTLUD3A50PZTAG NTLUD3A260PZTAG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 20V 20V 20V
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Exposed Pad 8-VDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad 6-UFDFN Exposed Pad
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Leistung - max 800mW, 810mW 1.5W 500mW 500mW
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3x3) 8-DFN (3x3), (MICRO8 LEADLESS) 6-UDFN (2x2) 6-UDFN (1.6x1.6)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Grundproduktnummer NTLLD4901 NTLTD79 NTLUD3 NTLUD3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A, 6.3A 6A 2.8A 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.4mOhm @ 9A, 10V 26mOhm @ 6.5A, 4.5V 50mOhm @ 4A, 4.5V 200mOhm @ 2A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V 18nC @ 4.5V 10.4nC @ 4.5V 4.2nC @ 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 605pF @ 15V 15pF @ 16V 920pF @ 15V 300pF @ 10V

NTLLD4901NFTWG Datenblatt PDF

Laden Sie NTLLD4901NFTWG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTLLD4901NFTWG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
Datenblätter
NTLLD4901NF.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Copper Wire Conversion 24/Feb/2015.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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