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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNTLTD7900ZR2G
NTLTD7900ZR2G Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTLTD7900ZR2G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTLTD7900ZR2G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTLTD7900ZR2G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-VDFN Exposed Pad
Datenblatt
NTLTD7900ZR2.pdf
NTLTD7900ZR2.pdf
vorrätig: 5090

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Spezifikation

NTLTD7900ZR2G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTLTD7900ZR2G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTLTD7900ZR2G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (3x3), (MICRO8 LEADLESS)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 6.5A, 4.5V  
Leistung - max 1.5W  
Verpackung / Gehäuse 8-VDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 16V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer NTLTD79  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTLTD7900ZR2G.

Produkteigenschaften NTLTD7900ZR2G NTLUD3A260PZTBG NTLUD3A50PZTAG NTLTD7900ZR2
Artikelnummer NTLTD7900ZR2G NTLUD3A260PZTBG NTLUD3A50PZTAG NTLTD7900ZR2
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V 4.2nC @ 4.5V 10.4nC @ 4.5V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A 1.3A 2.8A -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 6.5A, 4.5V 200mOhm @ 2A, 4.5V 50mOhm @ 4A, 4.5V -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Leistung - max 1.5W 500mW 500mW -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) -
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-VDFN Exposed Pad 6-UFDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad -
Grundproduktnummer NTLTD79 NTLUD3 NTLUD3 NTLTD79
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (3x3), (MICRO8 LEADLESS) 6-UDFN (1.6x1.6) 6-UDFN (2x2) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 16V 300pF @ 10V 920pF @ 15V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA -

NTLTD7900ZR2G Datenblatt PDF

Laden Sie NTLTD7900ZR2G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTLTD7900ZR2G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 21/Jan/2010.pdf
Datenblätter
NTLTD7900ZR2.pdf
HTML -Datenblatt
NTLTD7900ZR2.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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