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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTMFS0D55N03CGT1G
onsemi
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NTMFS0D55N03CGT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTMFS0D55N03CGT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTMFS0D55N03CGT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
WIDE SOA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN, 5 Leads
Datenblatt
NTMFS0D55N03CG.pdf
RoHS Status
vorrätig: 13757

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Anzahl

Spezifikation

NTMFS0D55N03CGT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTMFS0D55N03CGT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTMFS0D55N03CGT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 330µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.58mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 18500 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 224.9 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTMFS0D55N03CGT1G.

Produkteigenschaften NTMFS0D55N03CGT1G NTMFS015N15MC NTMFS4108NT3G NTMFS0D7N03CGT1G
Artikelnummer NTMFS0D55N03CGT1G NTMFS015N15MC NTMFS4108NT3G NTMFS0D7N03CGT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 18500 pF @ 15 V 2120 pF @ 75 V 6000 pF @ 15 V 12300 pF @ 15 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 330µA 4.5V @ 162µA 2.5V @ 250µA 2.2V @ 280µA
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 1.1W (Ta) 2.5W (Ta), 108.7W (Tc) 1.1W (Ta), 96.2W (Tc) 4W (Ta), 187W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 8-PQFN (5x6) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 224.9 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 54 nC @ 4.5 V 147 nC @ 10 V
Serie - PowerTrench® - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Ta) 9.2A (Ta), 61A (Tc) 13.5A (Ta) 59A (Ta), 409A (Tc)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.58mOhm @ 30A, 10V 14mOhm @ 29A, 10V 2.2mOhm @ 21A, 10V 0.65mOhm @ 30A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 8V, 10V 4.5V, 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 150 V 30 V 30 V

NTMFS0D55N03CGT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NTMFS0D55N03CGT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTMFS0D55N03CGT1G - onsemi herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Change 17/Oct/2022.pdf
Datenblätter
NTMFS0D55N03CG.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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