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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTMFS0D7N03CGT1G
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTMFS0D7N03CGT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTMFS0D7N03CGT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTMFS0D7N03CGT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 59A/409A 5DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN, 5 Leads
Datenblatt
NTMFS0D7N03CG.pdf
RoHS Status
vorrätig: 13469

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Anzahl

Spezifikation

NTMFS0D7N03CGT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTMFS0D7N03CGT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTMFS0D7N03CGT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 280µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.65mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 4W (Ta), 187W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12300 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 147 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 59A (Ta), 409A (Tc)  
Grundproduktnummer NTMFS0  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTMFS0D7N03CGT1G.

Produkteigenschaften NTMFS0D7N03CGT1G NTMFS4119NT1G NTMFS4108NT3G NTMFS4121NT1G
Artikelnummer NTMFS0D7N03CGT1G NTMFS4119NT1G NTMFS4108NT3G NTMFS4121NT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer NTMFS0 NTMFS4 NTMFS4 NTMFS4
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.65mOhm @ 30A, 10V 3.5mOhm @ 29A, 10V 2.2mOhm @ 21A, 10V 5.25mOhm @ 24A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 4W (Ta), 187W (Tc) 900mW (Ta) 1.1W (Ta), 96.2W (Tc) 900mW (Ta)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 59A (Ta), 409A (Tc) 11A (Ta) 13.5A (Ta) 11A (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12300 pF @ 15 V 4800 pF @ 24 V 6000 pF @ 15 V 2700 pF @ 24 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 280µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 147 nC @ 10 V 60 nC @ 4.5 V 54 nC @ 4.5 V 40 nC @ 4.5 V
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie - - - -

NTMFS0D7N03CGT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NTMFS0D7N03CGT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTMFS0D7N03CGT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Change 17/Oct/2022.pdf
PCN -Verpackung
MPN Label Update 08/Sep/2021.pdf MPN label update 11/Oct/2021.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev DS Chg 6/May/2021.pdf
Datenblätter
NTMFS0D7N03CG.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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