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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTP30N20G
NTP30N20G Image
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NTP30N20G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTP30N20G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTP30N20G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
NTP30N20.pdf
vorrätig: 4350

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Anzahl

Spezifikation

NTP30N20G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTP30N20G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTP30N20G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 81mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 214W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2335 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Ta)  
Grundproduktnummer NTP30N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTP30N20G.

Produkteigenschaften NTP30N20G NTP2955G NTP4302 NTP30N06LG
Artikelnummer NTP30N20G NTP2955G NTP4302 NTP30N06LG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2335 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 2400 pF @ 24 V 1150 pF @ 25 V
Serie - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Ta) 2.4A (Ta) 74A (Tc) 30A (Ta)
Paket Tube Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 28 nC @ 4.5 V 32 nC @ 5 V
Grundproduktnummer NTP30N NTP2955 NTP430 NTP30N
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±15V
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 60 V 30 V 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 81mOhm @ 15A, 10V 196mOhm @ 12A, 10V 9.3mOhm @ 37A, 10V 46mOhm @ 15A, 5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 214W (Tc) 2.4W (Ta), 62.5W (Tc) 80W (Tc) 88.2W (Tc)
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA

NTP30N20G Datenblatt PDF

Laden Sie NTP30N20G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTP30N20G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 01/Jul/2009.pdf
Datenblätter
NTP30N20.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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