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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTP4302
NTP4302 Image
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NTP4302 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTP4302
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTP4302
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 74A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
NTP4302, NTB4302.pdf
vorrätig: 4420

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Spezifikation

NTP4302 Tech -Spezifikationen
onsemi - NTP4302 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTP4302

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 37A, 10V  
Verlustleistung (max) 80W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 24 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 74A (Tc)  
Grundproduktnummer NTP430  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTP4302.

Produkteigenschaften NTP4302 NTP30N20G NTP30N06LG NTP52N10
Artikelnummer NTP4302 NTP30N20G NTP30N06LG NTP52N10
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 4.5 V 100 nC @ 10 V 32 nC @ 5 V 135 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 24 V 2335 pF @ 25 V 1150 pF @ 25 V 3150 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 37A, 10V 81mOhm @ 15A, 10V 46mOhm @ 15A, 5V 30mOhm @ 26A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 74A (Tc) 30A (Ta) 30A (Ta) 60A (Ta)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 5V 10V
Serie - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±15V ±20V
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 80W (Tc) 214W (Tc) 88.2W (Tc) 214W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 200 V 60 V 100 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer NTP430 NTP30N NTP30N NTP52N

NTP4302 Datenblatt PDF

Laden Sie NTP4302 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTP4302 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 12/Apr/2006.pdf
Datenblätter
NTP4302, NTB4302.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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