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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTP35N15G
NTP35N15G Image
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NTP35N15G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTP35N15G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTP35N15G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 37A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
NTP35N15.pdf
NTP35N15.pdf
vorrätig: 4900

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Anzahl

Spezifikation

NTP35N15G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTP35N15G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTP35N15G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 18.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta), 178W (Tj)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 37A (Ta)  
Grundproduktnummer NTP35N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTP35N15G.

Produkteigenschaften NTP35N15G NTP30N20G NTP4302 NTP30N06LG
Artikelnummer NTP35N15G NTP30N20G NTP4302 NTP30N06LG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 37A (Ta) 30A (Ta) 74A (Tc) 30A (Ta)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 200 V 30 V 60 V
Grundproduktnummer NTP35N NTP30N NTP430 NTP30N
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±15V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA
Serie - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Verlustleistung (max) 2W (Ta), 178W (Tj) 214W (Tc) 80W (Tc) 88.2W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 28 nC @ 4.5 V 32 nC @ 5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 25 V 2335 pF @ 25 V 2400 pF @ 24 V 1150 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 18.5A, 10V 81mOhm @ 15A, 10V 9.3mOhm @ 37A, 10V 46mOhm @ 15A, 5V

NTP35N15G Datenblatt PDF

Laden Sie NTP35N15G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTP35N15G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 05/Oct/2010.pdf
Datenblätter
NTP35N15.pdf
HTML -Datenblatt
NTP35N15.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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