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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTZS3151PT1H
NTZS3151PT1H Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTZS3151PT1H - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTZS3151PT1H
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTZS3151PT1H
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
NTZS3151P.pdf
vorrätig: 3880

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Spezifikation

NTZS3151PT1H Tech -Spezifikationen
onsemi - NTZS3151PT1H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTZS3151PT1H

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-563  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 950mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 170mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 458 pF @ 16 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 860mA (Ta)  
Grundproduktnummer NTZS3151  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTZS3151PT1H.

Produkteigenschaften NTZS3151PT1H NTZS3151PT1G NTZD5110NT1G MOS NTZD3152PT1H
Artikelnummer NTZS3151PT1H NTZS3151PT1G NTZD5110NT1G MOS NTZD3152PT1H
Hersteller onsemi onsemi AMI Semiconductor/onsemi onsemi
Vgs (Max) ±8V ±8V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 950mA, 4.5V 150mOhm @ 950mA, 4.5V - 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 458 pF @ 16 V 458 pF @ 16 V - 175pF @ 16V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET P-Channel P-Channel - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 4.5 V 5.6 nC @ 4.5 V - 2.5nC @ 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V - 20V
Grundproduktnummer NTZS3151 NTZS3151 - NTZD3152
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 - SOT-563, SOT-666
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse SOT-563 SOT-563 - SOT-563
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 170mW (Ta) 170mW (Ta) - -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA - 1V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 860mA (Ta) 860mA (Ta) - 430mA

NTZS3151PT1H Datenblatt PDF

Laden Sie NTZS3151PT1H PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTZS3151PT1H - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 29/Jan/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 24/Apr/2020.pdf
Datenblätter
NTZS3151P.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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