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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVB25P06T4G
NVB25P06T4G Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NVB25P06T4G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVB25P06T4G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVB25P06T4G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
NTB25P06.pdf
vorrätig: 4130

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Spezifikation

NVB25P06T4G Tech -Spezifikationen
onsemi - NVB25P06T4G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVB25P06T4G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 120W (Tj)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 27.5A (Ta)  
Grundproduktnummer NVB25P  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVB25P06T4G.

Produkteigenschaften NVB25P06T4G NVBG040N120SC1 NVB082N65S3F STP34N65M5
Artikelnummer NVB25P06T4G NVBG040N120SC1 NVB082N65S3F STP34N65M5
Hersteller onsemi onsemi onsemi STMicroelectronics
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 1200 V 650 V 650 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® MDmesh™ V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 106 nC @ 20 V 81 nC @ 10 V 62.5 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse D²PAK D2PAK-7 D²PAK-3 (TO-263-3) TO-220
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 27.5A (Ta) 60A (Tc) 40A (Tc) 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 25A, 10V 56mOhm @ 35A, 20V 82mOhm @ 20A, 10V 110mOhm @ 14A, 10V
Vgs (Max) ±15V +25V, -15V ±30V ±25V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.3V @ 10mA 5V @ 4mA 5V @ 250µA
Verlustleistung (max) 120W (Tj) 357W (Tc) 313W (Tc) 190W (Tc)
Grundproduktnummer NVB25P NVBG040 NVB082 STP34
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 25 V 1789 pF @ 800 V 3410 pF @ 400 V 2700 pF @ 100 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 20V 10V 10V

NVB25P06T4G Datenblatt PDF

Laden Sie NVB25P06T4G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVB25P06T4G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
1Q2018 Product EOL 31/Mar/2018.pdf Mult Dev EOL 20/Dec/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Cancellation 13/Aug/2020.pdf
Datenblätter
NTB25P06.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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