NVBG040N120SC1 Tech -Spezifikationen
onsemi - NVBG040N120SC1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVBG040N120SC1

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	onsemi
VGS (th) (Max) @ Id	4.3V @ 10mA
Vgs (Max)	+25V, -15V
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device-Gehäuse	D2PAK-7
Serie	Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs	56mOhm @ 35A, 20V
Verlustleistung (max)	357W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1789 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	106 nC @ 20 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	60A (Tc)
Grundproduktnummer	NVBG040

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVBG040N120SC1.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	NVBG040N120SC1	NVB082N65S3F	BTS113AE3045ANTMA1	NVB25P06T4G
Hersteller	onsemi	onsemi	Infineon Technologies	onsemi
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	60A (Tc)	40A (Tc)	11.5A (Tc)	27.5A (Ta)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verlustleistung (max)	357W (Tc)	313W (Tc)	40W (Tc)	120W (Tj)
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer	NVBG040	NVB082	-	NVB25P
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V	650 V	60 V	60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	56mOhm @ 35A, 20V	82mOhm @ 20A, 10V	170mOhm @ 5.8A, 4.5V	82mOhm @ 25A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	20V	10V	4.5V	10V
Vgs (Max)	+25V, -15V	±30V	±10V	±15V
VGS (th) (Max) @ Id	4.3V @ 10mA	5V @ 4mA	2.5V @ 1mA	4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1789 pF @ 800 V	3410 pF @ 400 V	560 pF @ 25 V	1680 pF @ 25 V
Typ FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	P-Channel
FET-Merkmal	-	-	-	-
Serie	Automotive, AEC-Q101	Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®	TEMPFET®	Automotive, AEC-Q101
Supplier Device-Gehäuse	D2PAK-7	D²PAK-3 (TO-263-3)	TO-220AB	D²PAK
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	106 nC @ 20 V	81 nC @ 10 V	-	50 nC @ 10 V
Paket	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)

NVBG040N120SC1 Datenblatt PDF

Laden Sie NVBG040N120SC1 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVBG040N120SC1 - onsemi herunter.

Umweltinformationen: onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung: PACKING BOX CHANGE 13/Jul/2021.pdf
Datenblätter: NVBG040N120SC1.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft: NTBG0x/NVBG0x 14/Dec/2022.pdf

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Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
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Ozeanien	Neuseeland	5
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Asien	Japan	4
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0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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