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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVB110N65S3F
NVB110N65S3F Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NVB110N65S3F - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVB110N65S3F
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVB110N65S3F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
NVB110N65S3F.pdf
RoHS Status
vorrätig: 8943

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Anzahl

Spezifikation

NVB110N65S3F Tech -Spezifikationen
onsemi - NVB110N65S3F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVB110N65S3F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 3mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK-3 (TO-263-3)  
Serie Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 240W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2560 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)  
Grundproduktnummer NVB110  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVB110N65S3F.

Produkteigenschaften NVB110N65S3F ZXMN6A07FTC NVBG040N120SC1 NVB25P06T4G
Artikelnummer NVB110N65S3F ZXMN6A07FTC NVBG040N120SC1 NVB25P06T4G
Hersteller onsemi Diodes Incorporated onsemi onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2560 pF @ 400 V 166 pF @ 40 V 1789 pF @ 800 V 1680 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 60 V 1200 V 60 V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 1.2A (Ta) 60A (Tc) 27.5A (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V 3.2 nC @ 10 V 106 nC @ 20 V 50 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 3mA 3V @ 250µA 4.3V @ 10mA 4V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±30V ±20V +25V, -15V ±15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 15A, 10V 250mOhm @ 1.8A, 10V 56mOhm @ 35A, 20V 82mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max) 240W (Tc) 625mW (Ta) 357W (Tc) 120W (Tj)
Grundproduktnummer NVB110 ZXMN6 NVBG040 NVB25P
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 20V 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse D²PAK-3 (TO-263-3) SOT-23-3 D2PAK-7 D²PAK
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel

NVB110N65S3F Datenblatt PDF

Laden Sie NVB110N65S3F PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVB110N65S3F - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NVB110N65S3F.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Improve FAB Process 26/APR/2023.pdf Mult Dev DS/Doc Chgs 1/Oct/2020.pdf
PCN -Verpackung
PACKING BOX CHANGE 13/Jul/2021.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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