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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDPF10N50UT
FDPF10N50UT Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDPF10N50UT - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDPF10N50UT
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDPF10N50UT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FDP(F)10N50UT.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4340

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Anzahl

Spezifikation

FDPF10N50UT Tech -Spezifikationen
onsemi - FDPF10N50UT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDPF10N50UT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 4A, 10V  
Verlustleistung (max) 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1130 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)  
Grundproduktnummer FDPF10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDPF10N50UT.

Produkteigenschaften FDPF10N50UT FDPF12N35 FDPF10N60NZ FDPF12N35
Artikelnummer FDPF10N50UT FDPF12N35 FDPF10N60NZ FDPF12N35
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Serie UniFET™ UniFET™ UniFET-II™ UniFET™
Paket Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±30V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1130 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V 1475 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 42W (Tc) 31.3W (Tc) 38W (Tc) 31.3W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 4A, 10V 380mOhm @ 6A, 10V 750mOhm @ 5A, 10V 380mOhm @ 6A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc) 12A (Tc) 10A (Tc) 12A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer FDPF10 FDPF1 FDPF10 -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 350 V 600 V 350 V

FDPF10N50UT Datenblatt PDF

Laden Sie FDPF10N50UT PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDPF10N50UT - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Datenblätter
FDP(F)10N50UT.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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