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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNVMD6N04R2G
NVMD6N04R2G Image
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NVMD6N04R2G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVMD6N04R2G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVMD6N04R2G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
NTMD6N04, NVMD6N04.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5270

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Anzahl

Spezifikation

NVMD6N04R2G Tech -Spezifikationen
onsemi - NVMD6N04R2G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVMD6N04R2G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 5.8A, 10V  
Leistung - max 1.29W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 32V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.6A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer NVMD6  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVMD6N04R2G.

Produkteigenschaften NVMD6N04R2G NVMFD5485NLWFT1G NVMFD5853NLT1G NVMFD5489NLT1G
Artikelnummer NVMD6N04R2G NVMFD5485NLWFT1G NVMFD5853NLT1G NVMFD5489NLT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V 60V 40V 60V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Grundproduktnummer NVMD6 NVMFD5483 NVMFD5853 NVMFD5483
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 32V 560pF @ 25V 1100pF @ 25V 330pF @ 25V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.6A 5.3A 12A 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 5.8A, 10V 44mOhm @ 15A, 10V 10mOhm @ 15A, 10V 65mOhm @ 15A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V 20nC @ 10V 23nC @ 10V 12.4nC @ 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Leistung - max 1.29W 2.9W 3W 3W

NVMD6N04R2G Datenblatt PDF

Laden Sie NVMD6N04R2G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVMD6N04R2G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
Datenblätter
NTMD6N04, NVMD6N04.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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NVMD6N04R2G

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