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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNVMFD5C674NLT1G
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NVMFD5C674NLT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVMFD5C674NLT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVMFD5C674NLT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 42A S08FL
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
NVMFD5C674NL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 25349

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Anzahl

Spezifikation

NVMFD5C674NLT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NVMFD5C674NLT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVMFD5C674NLT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 25µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.4mOhm @ 10A, 10V  
Leistung - max 3W (Ta), 37W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta), 42A (Tc)  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer NVMFD5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVMFD5C674NLT1G.

Produkteigenschaften NVMFD5C674NLT1G NVMFD5C668NLT1G NVMFD5C672NLT1G NVMFD5C470NLT1G
Artikelnummer NVMFD5C674NLT1G NVMFD5C668NLT1G NVMFD5C672NLT1G NVMFD5C470NLT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 25µA 2V @ 50µA 2.2V @ 30µA 2.2V @ 20µA
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.4mOhm @ 10A, 10V 6.5mOhm @ 20A, 10V 11.9mOhm @ 10A, 10V 11.5mOhm @ 5A, 10V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 4.5V 21.3nC @ 10V 5.7nC @ 4.5V 4nC @ 4.5V
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta), 42A (Tc) 15.5A (Ta), 68A (Tc) 12A (Ta), 49A (Tc) 11A (Ta), 36A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer NVMFD5 NVMFD5 NVMFD5 NVMFD5
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 25V 1440pF @ 25V 793pF @ 25V 590pF @ 25V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60V 60V 40V
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 3W (Ta), 37W (Tc) 3W (Ta), 57.5W (Tc) 3.1W (Ta), 45W (Tc) 3W (Ta), 24W (Tc)

NVMFD5C674NLT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NVMFD5C674NLT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVMFD5C674NLT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NVMFD5C674NL.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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