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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVMFS014P04M8LT1G
onsemi
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NVMFS014P04M8LT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVMFS014P04M8LT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVMFS014P04M8LT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN, 5 Leads
Datenblatt
NVMFS014P04M8L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 55120

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Anzahl

Spezifikation

NVMFS014P04M8LT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NVMFS014P04M8LT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVMFS014P04M8LT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 420µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.8mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 60W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1734 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26.5 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12.5A (Ta), 52.1A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVMFS014P04M8LT1G.

Produkteigenschaften NVMFS014P04M8LT1G NVMFS3D0P04M8LT1G NVMFS4C03NT3G NVMFS4C03NT1G
Artikelnummer NVMFS014P04M8LT1G NVMFS3D0P04M8LT1G NVMFS4C03NT3G NVMFS4C03NT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 60W (Tc) 3.9W (Ta), 171W (Tc) 3.71W (Ta), 77W (Tc) 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26.5 nC @ 10 V 124 nC @ 10 V 45.2 nC @ 10 V 45.2 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 30 V 30 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12.5A (Ta), 52.1A (Tc) 28A (Ta), 183A (Tc) 31.4A (Ta), 143A (Tc) 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.8mOhm @ 15A, 10V 2.7mOhm @ 30A,10V 2.1mOhm @ 30A, 10V 2.1mOhm @ 30A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1734 pF @ 20 V 5827 pF @ 20 V 3071 pF @ 15 V 3071 pF @ 15 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 420µA 2.4V @ 2mA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

NVMFS014P04M8LT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NVMFS014P04M8LT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVMFS014P04M8LT1G - onsemi herunter.

Datenblätter
NVMFS014P04M8L.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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