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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVMFD6H852NLWFT1G
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NVMFD6H852NLWFT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVMFD6H852NLWFT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVMFD6H852NLWFT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
NVMFD6H852NL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 59940

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Spezifikation

NVMFD6H852NLWFT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NVMFD6H852NLWFT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVMFD6H852NLWFT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 26µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25.5mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 38W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 521 pF @ 40 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta), 25A (Tc)  
Grundproduktnummer NVMFD6  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVMFD6H852NLWFT1G.

Produkteigenschaften NVMFD6H852NLWFT1G NVMFS015N10MCLT1G NVMFS4841NWFT1G NVMFS4C01NT3G
Artikelnummer NVMFD6H852NLWFT1G NVMFS015N10MCLT1G NVMFS4841NWFT1G NVMFS4C01NT3G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 26µA 2.2V @ 282µA 2.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25.5mOhm @ 10A, 10V 12.2mOhm @ 14A, 10V 7mOhm @ 30A, 10V 0.9mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta), 25A (Tc) 10.5A (Ta), 54A (Tc) 16A (Ta) 49A (Ta), 319A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 521 pF @ 40 V 1338 pF @ 50 V 1436 pF @ 12 V 10144 pF @ 15 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 38W (Tc) 3W (Ta), 79W (Tc) 3.7W (Ta), 112W (Tc) 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer NVMFD6 NVMFS015 NVMFS4 NVMFS4
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 100 V 30 V 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 17 nC @ 4.5 V 139 nC @ 10 V

NVMFD6H852NLWFT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NVMFD6H852NLWFT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVMFD6H852NLWFT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NVMFD6H852NL.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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