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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysAO5803E
AO5803E Image
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AO5803E - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AO5803E
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AO5803E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
AO5803E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4430

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Anzahl

Spezifikation

AO5803E Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO5803E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO5803E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-89-6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 600mA, 4.5V  
Leistung - max 400mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 100pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C -  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer AO580  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO5803E.

Produkteigenschaften AO5803E AO5804EL AON6974 IRF7343PBF
Artikelnummer AO5803E AO5804EL AON6974 IRF7343PBF
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 600mA, 4.5V 550mOhm @ 500mA, 4.5V 5.2mOhm @ 20A, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V
Supplier Device-Gehäuse SC-89-6 SC-89-6 8-DFN (5x6) 8-SO
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Half Bridge) N and P-Channel
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate -
Leistung - max 400mW 280mW 3.6W, 4.3W 2W
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 8-PowerVDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie - - - HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 30V 55V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Grundproduktnummer AO580 AO580 AON697 IRF734
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 1nC @ 4.5V 22.5nC @ 10V 36nC @ 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 100pF @ 10V 45pF @ 10V 951pF @ 15V 740pF @ 25V
VGS (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA 1V @ 250µA 2.2V @ 250µA 1V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - 500mA 22A, 30A 4.7A, 3.4A

AO5803E Datenblatt PDF

Laden Sie AO5803E PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AO5803E - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Umweltinformationen
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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