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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysAO5800E
AO5800E Image
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AO5800E - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AO5800E
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AO5800E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.4A SC89-6L
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
AO5800E.pdf
vorrätig: 3610

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Anzahl

Spezifikation

AO5800E Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO5800E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO5800E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-89-6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 400mA, 10V  
Leistung - max 400mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 30V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C -  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer AO580  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO5800E.

Produkteigenschaften AO5800E SI1967DH-T1-E3 AO5803E SI4922BDY-T1-E3
Artikelnummer AO5800E SI1967DH-T1-E3 AO5803E SI4922BDY-T1-E3
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Vishay Siliconix Alpha & Omega Semiconductor Inc. Vishay Siliconix
Supplier Device-Gehäuse SC-89-6 SC-70-6 SC-89-6 8-SOIC
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 30V 110pF @ 10V 100pF @ 10V 2070pF @ 15V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - 1.3A - 8A
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SOT-563, SOT-666 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leistung - max 400mW 1.25W 400mW 3.1W
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 400mA, 10V 490mOhm @ 910mA, 4.5V 800mOhm @ 600mA, 4.5V 16mOhm @ 5A, 10V
Grundproduktnummer AO580 SI1967 AO580 SI4922
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 900mV @ 250µA 1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 4nC @ 8V - 62nC @ 10V
Serie - TrenchFET® - TrenchFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 20V 20V 30V

AO5800E Datenblatt PDF

Laden Sie AO5800E PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AO5800E - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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