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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysAO5804EL
AO5804EL Image
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AO5804EL - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AO5804EL
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AO5804EL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH SC89-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
AO5804EL.pdf
vorrätig: 3910

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Spezifikation

AO5804EL Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO5804EL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AO5804EL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-89-6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 500mA, 4.5V  
Leistung - max 280mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 500mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer AO580  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO5804EL.

Produkteigenschaften AO5804EL IRF9952TRPBF DMT6017LDV-7 IPG20N06S4L26ATMA1
Artikelnummer AO5804EL IRF9952TRPBF DMT6017LDV-7 IPG20N06S4L26ATMA1
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Infineon Technologies Diodes Incorporated Infineon Technologies
Leistung - max 280mW 2W - 33W
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 500mA 3.5A, 2.3A 25.3 (Tc) 20A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V 14nC @ 10V - 20nC @ 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.2V @ 10µA
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Supplier Device-Gehäuse SC-89-6 8-SO PowerDI3333-8 (Type UXC) PG-TDSON-8-4
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 500mA, 4.5V 100mOhm @ 2.2A, 10V 22mOhm @ 6A, 10V 26mOhm @ 17A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 10V 190pF @ 15V - 1430pF @ 25V
Grundproduktnummer AO580 IRF995 DMT6017 IPG20N
FET-Merkmal - Logic Level Gate - Logic Level Gate
Serie - HEXFET® - OptiMOS™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 30V - 60V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

AO5804EL Datenblatt PDF

Laden Sie AO5804EL PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AO5804EL - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL 27/Oct/2016.pdf Mult Dev LTB Update 12/Mar/2018.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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