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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOB2608L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOB2608L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOB2608L
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOB2608L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 11A/72A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
TO263 (D2PAK) Pkg Drawing.pdf
AOx2608L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4940

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Anzahl

Spezifikation

AOB2608L Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB2608L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB2608L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D2Pak)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 100W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2995 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta), 72A (Tc)  
Grundproduktnummer AOB260  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB2608L.

Produkteigenschaften AOB2608L AOB2618L AOB264L AOB2606L
Artikelnummer AOB2608L AOB2618L AOB264L AOB2606L
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta), 72A (Tc) 7A (Ta), 23A (Tc) 19A (Ta), 140A (Tc) 13A (Ta), 72A (Tc)
Serie - - - -
Grundproduktnummer AOB260 AOB2618 AOB264 AOB2606
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6mOhm @ 20A, 10V 19mOhm @ 20A, 10V 3mOhm @ 20A, 10V 6.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2995 pF @ 30 V 950 pF @ 30 V 8400 pF @ 30 V 4050 pF @ 30 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 100W (Tc) 2.1W (Ta), 41.5W (Tc) 2.1W (Ta), 333W (Tc) 2.1W (Ta), 115W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3.2V @ 250µA 3.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

AOB2608L Datenblatt PDF

Laden Sie AOB2608L PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOB2608L - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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