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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOB260L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOB260L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOB260L
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOB260L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
TO263 (D2PAK) Pkg Drawing.pdf
AOT260L/AOB260L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 19573

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Anzahl

Spezifikation

AOB260L Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB260L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB260L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 3.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D2Pak)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.9W (Ta), 330W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14200 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta), 140A (Tc)  
Grundproduktnummer AOB260  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB260L.

Produkteigenschaften AOB260L AOB256L AOB262L AOB254L
Artikelnummer AOB260L AOB256L AOB262L AOB254L
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
VGS (th) (Max) @ Id 3.2V @ 250µA 2.8V @ 250µA 3.2V @ 250µA 2.7V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta), 140A (Tc) 3A (Ta), 19A (Tc) 20A (Ta), 140A (Tc) 4.2A (Ta), 32A (Tc)
Serie - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 20A, 10V 85mOhm @ 10A, 10V 2.8mOhm @ 20A, 10V 46mOhm @ 20A, 10V
Grundproduktnummer AOB260 AOB256 AOB262 AOB254
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 150 V 60 V 150 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak)
Verlustleistung (max) 1.9W (Ta), 330W (Tc) 2.1W (Ta), 83W (Tc) 2.1W (Ta), 333W (Tc) 2.1W (Ta), 125W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14200 pF @ 30 V 1165 pF @ 75 V 9800 pF @ 30 V 2150 pF @ 75 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

AOB260L Datenblatt PDF

Laden Sie AOB260L PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOB260L - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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