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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOB266L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOB266L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOB266L
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOB266L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 18A/140A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
TO263 (D2PAK) Pkg Drawing.pdf
AOT266L/AOB266L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 40498

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Anzahl

Spezifikation

AOB266L Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB266L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB266L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 3.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D2Pak)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 268W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Ta), 140A (Tc)  
Grundproduktnummer AOB266  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB266L.

Produkteigenschaften AOB266L AOB270L AOB2608L AOB270AL
Artikelnummer AOB266L AOB270L AOB2608L AOB270AL
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 75 V 60 V 75 V
VGS (th) (Max) @ Id 3.2V @ 250µA 3V @ 250µA 3.6V @ 250µA 3.3V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 30 V 10350 pF @ 37.5 V 2995 pF @ 30 V 10830 pF @ 37.5 V
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 20A, 10V 2.3mOhm @ 20A, 10V 7.6mOhm @ 20A, 10V 2.4mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 206 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Ta), 140A (Tc) 21.5A (Ta), 140A (Tc) 11A (Ta), 72A (Tc) 21.5A (Ta), 140A (Tc)
Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 268W (Tc) 2.1W (Ta), 500W (Tc) 2.1W (Ta), 100W (Tc) 2.1W (Ta), 500W (Tc)
Grundproduktnummer AOB266 AOB270 AOB260 AOB270
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 10V 6V, 10V

AOB266L Datenblatt PDF

Laden Sie AOB266L PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOB266L - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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