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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOI516
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOI516 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOI516
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOI516
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO251A
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Datenblatt
AOI516.pdf
vorrätig: 4270

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Spezifikation

AOI516 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI516 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI516

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-251A  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Stub Leads, IPak  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1229 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Ta), 46A (Tc)  
Grundproduktnummer AOI51  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI516.

Produkteigenschaften AOI516 AOI4S60 AOI4T60 AOI5N40
Artikelnummer AOI516 AOI4S60 AOI4T60 AOI5N40
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Paket Tube Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 4.1V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 56.8W (Tc) 83W (Tc) 78W (Tc)
Grundproduktnummer AOI51 AOI4 AOI4 AOI5
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1229 pF @ 15 V 263 pF @ 100 V 460 pF @ 100 V 400 pF @ 25 V
Serie - aMOS™ - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 600 V 600 V 400 V
Supplier Device-Gehäuse TO-251A TO-251A TO-251A TO-251A
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 8.5 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Ta), 46A (Tc) 4A (Tc) 4A (Tc) 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V 900mOhm @ 2A, 10V 2.1Ohm @ 1A, 10V 1.6Ohm @ 1A, 10V

AOI516 Datenblatt PDF

Laden Sie AOI516 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOI516 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Umweltinformationen
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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