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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOI950A70
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOI950A70 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOI950A70
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOI950A70
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 700V 5A TO251A
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Datenblatt
AOD950A70, AOI950A70.pdf
RoHS Status
vorrätig: 59740

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Anzahl

Spezifikation

AOI950A70 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI950A70 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI950A70

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-251A  
Serie aMOS5™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 56.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Stub Leads, IPak  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 461 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 700 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc)  
Grundproduktnummer AOI950  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI950A70.

Produkteigenschaften AOI950A70 AOI4N60 AOI4T60 AOI4TL60
Artikelnummer AOI950A70 AOI4N60 AOI4T60 AOI4TL60
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 461 pF @ 100 V 640 pF @ 25 V 460 pF @ 100 V -
Paket Tube Tube Tube Tube
Grundproduktnummer AOI950 AOI4 AOI4 AOI4
Verlustleistung (max) 56.5W (Tc) 104W (Tc) 83W (Tc) -
Supplier Device-Gehäuse TO-251A TO-251A TO-251A -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc) 4A (Tc) 4A (Tc) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 700 V 600 V 600 V -
Serie aMOS5™ - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 1A, 10V 2.3Ohm @ 2A, 10V 2.1Ohm @ 1A, 10V -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 14.5 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V -
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak -
VGS (th) (Max) @ Id 4.1V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA -
FET-Merkmal - - - -

AOI950A70 Datenblatt PDF

Laden Sie AOI950A70 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOI950A70 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Multiple Products 02/Mar/2021.pdf
Datenblätter
AOD950A70, AOI950A70.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Datasheet Rev 25/Nov/2020.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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