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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOI7N65
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOI7N65 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOI7N65
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOI7N65
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 7A TO251A
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Datenblatt
TO251A Pkg Drawing.pdf
AOx7N65.pdf
RoHS Status
vorrätig: 59470

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Spezifikation

AOI7N65 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI7N65 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI7N65

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-251A  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.56Ohm @ 3.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 178W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Stub Leads, IPak  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc)  
Grundproduktnummer AOI7  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI7N65.

Produkteigenschaften AOI7N65 AOI4T60 AOI4C60 AOI950A70
Artikelnummer AOI7N65 AOI4T60 AOI4C60 AOI950A70
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-251A TO-251A TO-251A TO-251A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.56Ohm @ 3.5A, 10V 2.1Ohm @ 1A, 10V 950mOhm @ 1.3A, 10V 950mOhm @ 1A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc) 4A (Tc) 4A (Tc) 5A (Tc)
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - aMOS5™
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 600 V 600 V 700 V
Verlustleistung (max) 178W (Tc) 83W (Tc) 125W (Tc) 56.5W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 25 V 460 pF @ 100 V 910 pF @ 100 V 461 pF @ 100 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V
Grundproduktnummer AOI7 AOI4 AOI4 AOI950

AOI7N65 Datenblatt PDF

Laden Sie AOI7N65 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOI7N65 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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