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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysAON2800
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AON2800 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AON2800
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AON2800
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-WDFN Exposed Pad
Datenblatt
AON2800.pdf
vorrätig: 5080

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Anzahl

Spezifikation

AON2800 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON2800 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON2800

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-DFN (2x2)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 4A, 4.5V  
Leistung - max 1.5W  
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Grundproduktnummer AON280  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON2800.

Produkteigenschaften AON2800 AON2812 AON2801L AON2801
Artikelnummer AON2800 AON2812 AON2801L AON2801
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Grundproduktnummer AON280 AON281 AON280 AON280
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 10V 235pF @ 15V 700pF @ 10V 700pF @ 10V
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A 4.5A 3A (Ta) 3A
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 30V 20V 20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Leistung - max 1.5W 2.5W 1.5W 1.5W
Supplier Device-Gehäuse 6-DFN (2x2) 6-DFN (2x2) 6-DFN (2x2) 6-DFN (2x2)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 4A, 4.5V 37mOhm @ 2A, 10V 120mOhm @ 3A, 4.5V 120mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V 10nC @ 10V 6.5nC @ 4.5V 6.5nC @ 4.5V
Serie - AlphaMOS - -

AON2800 Datenblatt PDF

Laden Sie AON2800 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AON2800 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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