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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysAON2801L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AON2801L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AON2801L
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AON2801L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH DUAL DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-WDFN Exposed Pad
Datenblatt
AON2801(L).pdf
vorrätig: 5340

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Spezifikation

AON2801L Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON2801L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON2801L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-DFN (2x2)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3A, 4.5V  
Leistung - max 1.5W  
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta)  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer AON280  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON2801L.

Produkteigenschaften AON2801L AON2810 AON2812 AON2801
Artikelnummer AON2801L AON2810 AON2812 AON2801
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3A, 4.5V 44mOhm @ 2A, 10V 37mOhm @ 2A, 10V 120mOhm @ 3A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 6-DFN (2x2) 6-DFN (2x2) 6-DFN (2x2) 6-DFN (2x2)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 10V 235pF @ 15V 235pF @ 15V 700pF @ 10V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1V @ 250µA
Serie - - AlphaMOS -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta) 2A 4.5A 3A
Grundproduktnummer AON280 AON281 AON281 AON280
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V 10nC @ 10V 10nC @ 10V 6.5nC @ 4.5V
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Leistung - max 1.5W 2.5W 2.5W 1.5W
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 30V 30V 20V
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

AON2801L Datenblatt PDF

Laden Sie AON2801L PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AON2801L - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL 27/Oct/2016.pdf
Datenblätter
AON2801(L).pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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