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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysAON2802
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AON2802 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AON2802
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AON2802
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 2A 6DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-WDFN Exposed Pad
Datenblatt
AON2802.pdf
RoHS Status
vorrätig: 165890

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Anzahl

Spezifikation

AON2802 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON2802 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON2802

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-DFN (2x2)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 2A, 10V  
Leistung - max 2.1W  
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 245pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer AON280  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON2802.

Produkteigenschaften AON2802 AON2880 AON2800 AON2803
Artikelnummer AON2802 AON2880 AON2800 AON2803
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Grundproduktnummer AON280 AON288 AON280 AON280
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 2.1W 2W 1.5W 1.5W
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad 8-WFDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 245pF @ 15V 600pF @ 10V 435pF @ 10V 560pF @ 10V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V 9nC @ 4.5V 6nC @ 4.5V 12nC @ 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 20V 20V 20V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A 7A 4.5A 3.8A
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 6-DFN (2x2) 8-DFN-EP (2x2) 6-DFN (2x2) 6-DFN (2x2)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 2A, 10V 21.5mOhm @ 5A, 4.5V 47mOhm @ 4A, 4.5V 70mOhm @ 3.8A, 4.5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

AON2802 Datenblatt PDF

Laden Sie AON2802 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AON2802 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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AON2802.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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