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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysAON5802B
AON5802B Image
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AON5802B - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AON5802B
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AON5802B
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-WFDFN Exposed Pad
Datenblatt
AON5802B(L).pdf
RoHS Status
vorrätig: 3940

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Anzahl

Spezifikation

AON5802B Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON5802B Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON5802B

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-DFN-EP (2x5)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 7A, 4.5V  
Leistung - max 1.6W  
Verpackung / Gehäuse 6-WFDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.2A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Grundproduktnummer AON5802  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON5802B.

Produkteigenschaften AON5802B AON4807 AON5810 AON5802BL
Artikelnummer AON5802B AON4807 AON5810 AON5802BL
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Verpackung / Gehäuse 6-WFDFN Exposed Pad 8-SMD, Flat Lead 6-WFDFN Exposed Pad 6-WFDFN Exposed Pad
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 20V 30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.2A 4A 7.7A 7.2A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Supplier Device-Gehäuse 6-DFN-EP (2x5) 8-DFN (3x2) 6-DFN-EP (2x5) 6-DFN-EP (2x5)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 7A, 4.5V 68mOhm @ 4A, 10V 18mOhm @ 7.7A, 4.5V 19mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V 10nC @ 10V 13.1nC @ 4.5V 24nC @ 10V
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 2.3V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Leistung - max 1.6W 1.9W 1.6W 1.6W
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 15V 290pF @ 15V 1360pF @ 10V 1150pF @ 15V
Grundproduktnummer AON5802 AON480 AON581 AON5802

AON5802B Datenblatt PDF

Laden Sie AON5802B PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AON5802B - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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