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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysAON5820
AON5820 Image
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AON5820 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AON5820
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AON5820
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-WFDFN Exposed Pad
Datenblatt
AON5820.pdf
RoHS Status
vorrätig: 137250

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Anzahl

Spezifikation

AON5820 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON5820 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON5820

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-DFN-EP (2x5)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 10A, 4.5V  
Leistung - max 1.7W  
Verpackung / Gehäuse 6-WFDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1510pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Grundproduktnummer AON582  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON5820.

Produkteigenschaften AON5820 AON5802A AON5810 AON5802ALS
Artikelnummer AON5820 AON5802A AON5810 AON5802ALS
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 30V 20V -
Grundproduktnummer AON582 AON5802 AON581 AON5802
Verpackung / Gehäuse 6-WFDFN Exposed Pad 6-WFDFN Exposed Pad 6-WFDFN Exposed Pad 6-WFDFN Exposed Pad
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1510pF @ 10V 1115pF @ 15V 1360pF @ 10V -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain -
Supplier Device-Gehäuse 6-DFN-EP (2x5) 6-DFN-EP (2x5) 6-DFN-EP (2x5) 6-DFN-EP (2x5)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A 7.2A 7.7A -
Leistung - max 1.7W 1.7W 1.6W -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 10A, 4.5V 20mOhm @ 7.2A, 4.5V 18mOhm @ 7.7A, 4.5V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Serie - - - *
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V 10.7nC @ 4.5V 13.1nC @ 4.5V -

AON5820 Datenblatt PDF

Laden Sie AON5820 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AON5820 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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AON5820.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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