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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysAON5816
AON5816 Image
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AON5816 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AON5816
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AON5816
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 12A 6DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-WFDFN Exposed Pad
Datenblatt
AON5816.pdf
RoHS Status
vorrätig: 121960

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Anzahl

Spezifikation

AON5816 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON5816 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON5816

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-DFN-EP (2x5)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 12A, 4.5V  
Leistung - max 1.7W  
Verpackung / Gehäuse 6-WFDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2170pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Ta)  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Grundproduktnummer AON581  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON5816.

Produkteigenschaften AON5816 AON5802BG AON5802ALS AON5810
Artikelnummer AON5816 AON5802BG AON5802ALS AON5810
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Verpackung / Gehäuse 6-WFDFN Exposed Pad 6-WFDFN Exposed Pad 6-WFDFN Exposed Pad 6-WFDFN Exposed Pad
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2170pF @ 10V 1050pF @ 15V - 1360pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 12A, 4.5V 18mOhm @ 7A, 4.5V - 18mOhm @ 7.7A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - * -
Leistung - max 1.7W 3.1W (Ta) - 1.6W
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 30V - 20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Ta) 10A (Ta) - 7.7A
Grundproduktnummer AON581 - AON5802 AON581
FET-Merkmal - Standard - Logic Level Gate
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse 6-DFN-EP (2x5) 6-DFN-EP (2x5) 6-DFN-EP (2x5) 6-DFN-EP (2x5)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 4.5V 32nC @ 10V - 13.1nC @ 4.5V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain - - 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Paket Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA 1.5V @ 250µA - 1V @ 250µA

AON5816 Datenblatt PDF

Laden Sie AON5816 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AON5816 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assem/Test Site Chg 12/Dec/2018.pdf
Datenblätter
AON5816.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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