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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOTF10T60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOTF10T60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOTF10T60
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOTF10T60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
TO220F Pkg Drawing.pdf
TO220F Pkg Drawing.pdf
AOT(F)10T60.pdf
vorrätig: 4930

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Spezifikation

AOTF10T60 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF10T60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF10T60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 5A, 10V  
Verlustleistung (max) 43W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1346 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  
Grundproduktnummer AOTF10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF10T60.

Produkteigenschaften AOTF10T60 AOTF10N90 AOTF11C60 AOTF10T60P
Artikelnummer AOTF10T60 AOTF10N90 AOTF11C60 AOTF10T60P
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 900 V 600 V 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 5A, 10V 980mOhm @ 5A, 10V 400mOhm @ 5.5A, 10V 700mOhm @ 5A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tc) 11A (Tc) 10A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Grundproduktnummer AOTF10 AOTF10 AOTF11 AOTF10
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Verlustleistung (max) 43W (Tc) 50W (Tc) 50W (Tc) 43W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1346 pF @ 100 V 3160 pF @ 25 V 2010 pF @ 50 V 1595 pF @ 100 V

AOTF10T60 Datenblatt PDF

Laden Sie AOTF10T60 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOTF10T60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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TO220F Pkg Drawing.pdf TO220F Pkg Drawing.pdf AOT(F)10T60.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL Notice 22/Mar/2017.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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