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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOTF10T60P
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOTF10T60P - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOTF10T60P
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOTF10T60P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
TO220F Pkg Drawing.pdf
TO220F Pkg Drawing.pdf
AO(T,B,TF)10T60P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4820

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Anzahl

Spezifikation

AOTF10T60P Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF10T60P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF10T60P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 5A, 10V  
Verlustleistung (max) 43W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1595 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  
Grundproduktnummer AOTF10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF10T60P.

Produkteigenschaften AOTF10T60P AOTF11C60 AOTF11N62L AOTF11N62
Artikelnummer AOTF10T60P AOTF11C60 AOTF11N62L AOTF11N62
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 5A, 10V 400mOhm @ 5.5A, 10V 650mOhm @ 5.5A, 10V 650mOhm @ 5.5A, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 620 V 620 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Supplier Device-Gehäuse TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1595 pF @ 100 V 2010 pF @ 50 V 1990 pF @ 25 V 1990 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 43W (Tc) 50W (Tc) 39W (Tc) 50W (Tc)
Grundproduktnummer AOTF10 AOTF11 AOTF11 AOTF11
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 11A (Tc) 11A (Tc) 11A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -

AOTF10T60P Datenblatt PDF

Laden Sie AOTF10T60P PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOTF10T60P - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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EOL Notice 22/Mar/2017.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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