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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOW480
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOW480 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOW480
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOW480
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 15A/180A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
TO262 Pkg Drawing.pdf
vorrätig: 5480

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Anzahl

Spezifikation

AOW480 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOW480 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOW480

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie SDMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.9W (Ta), 333W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7820 pF @ 40 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta), 180A (Tc)  
Grundproduktnummer AOW48  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOW480.

Produkteigenschaften AOW480 AOW298 AOW296 AOWF10N60
Artikelnummer AOW480 AOW298 AOW296 AOWF10N60
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Paket Tube Tube Tube Tube
Grundproduktnummer AOW48 AOW29 AOW29 AOWF10
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V 10V 6V, 10V 10V
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±30V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 1.9W (Ta), 333W (Tc) 2.1W (Ta), 100W (Tc) 104W (Tc) 25W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.1V @ 250µA 3.4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 100 V 100 V 600 V
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 20A, 10V 14.5mOhm @ 20A, 10V 9.7mOhm @ 20A, 10V 750mOhm @ 5A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7820 pF @ 40 V 1670 pF @ 50 V 2785 pF @ 50 V 1600 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta), 180A (Tc) 9A (Ta), 58A (Tc) 70A (Tc) 10A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie SDMOS™ - AlphaSGT™ -
Supplier Device-Gehäuse TO-262 TO-262 TO-262 TO-262F

AOW480 Datenblatt PDF

Laden Sie AOW480 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOW480 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Datenblätter
TO262 Pkg Drawing.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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