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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOW7S65
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOW7S65 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOW7S65
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOW7S65
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 7A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
TO262 Pkg Drawing.pdf
AOW(F)7S65.pdf
RoHS Status
vorrätig: 28535

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Anzahl

Spezifikation

AOW7S65 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOW7S65 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOW7S65

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie aMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 3.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 104W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 434 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.2 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc)  
Grundproduktnummer AOW7  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOW7S65.

Produkteigenschaften AOW7S65 AOWF10T60P AOWF10T60 AOWF11S60
Artikelnummer AOW7S65 AOWF10T60P AOWF10T60 AOWF11S60
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 600 V 600 V 600 V
Supplier Device-Gehäuse TO-262 TO-262F TO-262F TO-262F
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer AOW7 AOWF10 AOWF10 AOWF11
Serie aMOS™ - - aMOS™
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc) 11A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 104W (Tc) 28W (Tc) 28W (Tc) 28W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 434 pF @ 100 V 1595 pF @ 100 V 1346 pF @ 100 V 545 pF @ 100 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.2 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 3.5A, 10V 700mOhm @ 5A, 10V 700mOhm @ 5A, 10V 399mOhm @ 3.8A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Full Pack, I²Pak TO-262-3 Full Pack, I²Pak TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

AOW7S65 Datenblatt PDF

Laden Sie AOW7S65 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOW7S65 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

Andere verwandte Dokumente
AOS Green Policy.pdf
Umweltinformationen
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Datenblätter
TO262 Pkg Drawing.pdf AOW(F)7S65.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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