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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAOW4S60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AOW4S60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Hersteller Artikelnummer
AOW4S60
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-AOW4S60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 4A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
TO262 Pkg Drawing.pdf
AOW(F)4S60.pdf
RoHS Status
vorrätig: 63230

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Anzahl

Spezifikation

AOW4S60 Tech -Spezifikationen
Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOW4S60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOW4S60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie aMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 83W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 263 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)  
Grundproduktnummer AOW4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOW4S60.

Produkteigenschaften AOW4S60 AOW29S50 AOWF10N65 AOWF11C60
Artikelnummer AOW4S60 AOW29S50 AOWF10N65 AOWF11C60
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie aMOS™ aMOS™ - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2A, 10V 150mOhm @ 14.5A, 10V 1Ohm @ 5A, 10V 400mOhm @ 5.5A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 500 V 650 V 600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc) 29A (Tc) 10A (Tc) 11A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4.1V @ 250µA 3.9V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V 26.6 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 263 pF @ 100 V 1312 pF @ 100 V 1645 pF @ 25 V 2000 pF @ 100 V
Supplier Device-Gehäuse TO-262 TO-262 TO-262F TO-262F
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Grundproduktnummer AOW4 AOW29 AOWF10 AOWF11
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 83W (Tc) 357W (Tc) 25W (Tc) 28W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

AOW4S60 Datenblatt PDF

Laden Sie AOW4S60 PDF -Datenblätter und Alpha & Omega Semiconductor Inc. -Dokumentation für AOW4S60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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