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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRF2804STRL
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AUIRF2804STRL - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRF2804STRL
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRF2804STRL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
AUIRF2804STRL.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 9645

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Spezifikation

AUIRF2804STRL Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRF2804STRL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRF2804STRL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6450 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 195A (Tc)  
Grundproduktnummer AUIRF2804  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRF2804STRL.

Produkteigenschaften AUIRF2804STRL AUIRF2804S-7P AUIRF2807 AUIRF2804S
Artikelnummer AUIRF2804STRL AUIRF2804S-7P AUIRF2807 AUIRF2804S
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier International Rectifier
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 75 V 40 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 330W (Tc) 230W (Tc) 300W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK (7-Lead) TO-220AB D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 75A, 10V 1.6mOhm @ 160A, 10V 13mOhm @ 43A, 10V 2mOhm @ 75A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6450 pF @ 25 V 6930 pF @ 25 V 3820 pF @ 25 V 6450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 195A (Tc) 240A (Tc) 75A (Tc) 195A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Grundproduktnummer AUIRF2804 AUIRF2804 - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

AUIRF2804STRL Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRF2804STRL PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRF2804STRL - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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