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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRF2804WL
AUIRF2804WL Image
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AUIRF2804WL - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRF2804WL
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRF2804WL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 240A TO262-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Wide Leads
Datenblatt
AUIRF2804WL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5310

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Anzahl

Spezifikation

AUIRF2804WL Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRF2804WL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRF2804WL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262-3 Wide  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 187A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Wide Leads  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7978 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 240A (Tc)  
Grundproduktnummer AUIRF2804  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRF2804WL.

Produkteigenschaften AUIRF2804WL AUIRF2804S-7P AUIRF3004WL AUIRF3205Z
Artikelnummer AUIRF2804WL AUIRF2804S-7P AUIRF3004WL AUIRF3205Z
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-262-3 Wide D2PAK (7-Lead) TO-262-3 Wide TO-220AB
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 240A (Tc) 240A (Tc) 240A (Tc) 75A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Bulk Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Wide Leads TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-262-3 Wide Leads TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 187A, 10V 1.6mOhm @ 160A, 10V 1.4mOhm @ 195A, 10V 6.5mOhm @ 66A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7978 pF @ 25 V 6930 pF @ 25 V 9450 pF @ 32 V 3450 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer AUIRF2804 AUIRF2804 AUIRF3004 AUIRF3205
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 55 V
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 330W (Tc) 375W (Tc) 170W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

AUIRF2804WL Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRF2804WL PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRF2804WL - Infineon Technologies herunter.

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