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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRF2903ZS
International Rectifier
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AUIRF2903ZS - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
AUIRF2903ZS
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRF2903ZS
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
AUIRF2903ZS.pdf
vorrätig: 4850

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Anzahl

Spezifikation

AUIRF2903ZS Tech -Spezifikationen
International Rectifier - AUIRF2903ZS Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - AUIRF2903ZS

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 231W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6320 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier AUIRF2903ZS.

Produkteigenschaften AUIRF2903ZS AUIRF2805 AUIRF2804STRL AUIRF3205ZS
Artikelnummer AUIRF2903ZS AUIRF2805 AUIRF2804STRL AUIRF3205ZS
Hersteller International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc) 75A (Tc) 195A (Tc) 75A (Tc)
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 75A, 10V 4.7mOhm @ 104A, 10V 2mOhm @ 75A, 10V 6.5mOhm @ 66A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 231W (Tc) 330W (Tc) 300W (Tc) 170W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 55 V 40 V 55 V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK TO-220AB D2PAK D2PAK
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6320 pF @ 25 V 5110 pF @ 25 V 6450 pF @ 25 V 3450 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 230 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

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Lieferzeit

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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