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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRF3808S
International Rectifier
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AUIRF3808S - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
AUIRF3808S
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRF3808S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
AUIRF3808S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5400

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Anzahl

Spezifikation

AUIRF3808S Tech -Spezifikationen
International Rectifier - AUIRF3808S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - AUIRF3808S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 82A, 10V  
Verlustleistung (max) 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5310 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 106A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier AUIRF3808S.

Produkteigenschaften AUIRF3808S AUIRF5210S AUIRF4905STRL AUIRF4104
Artikelnummer AUIRF3808S AUIRF5210S AUIRF4905STRL AUIRF4104
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5310 pF @ 25 V 2780 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET®
Verlustleistung (max) 200W (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) 200W (Tc) 140W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V 230 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK PG-TO263-3 TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 106A (Tc) 38A (Tc) 42A (Tc) 75A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Paket Bulk Tube Tape & Reel (TR) Tube
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 100 V 55 V 40 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 82A, 10V 60mOhm @ 38A, 10V 20mOhm @ 42A, 10V 5.5mOhm @ 75A, 10V

Lieferung

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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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