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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRF4905STRL
AUIRF4905STRL Image
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AUIRF4905STRL - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRF4905STRL
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRF4905STRL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
AUIRF4905STRL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 7255

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Anzahl

Spezifikation

AUIRF4905STRL Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRF4905STRL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRF4905STRL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3  
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 42A, 10V  
Verlustleistung (max) 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc)  
Grundproduktnummer AUIRF4905  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRF4905STRL.

Produkteigenschaften AUIRF4905STRL AUIRF4905S AUIRF3805L-7P AUIRF6215
Artikelnummer AUIRF4905STRL AUIRF4905S AUIRF3805L-7P AUIRF6215
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 55 V 150 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc) 42A (Tc) 160A (Tc) 13A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Paket Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tube
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3 D2PAK TO-262 TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 42A, 10V 20mOhm @ 42A, 10V 2.6mOhm @ 140A, 10V 290mOhm @ 6.6A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 7820 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-7 TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer AUIRF4905 AUIRF4905 - AUIRF6215
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 200W (Tc) 200W (Tc) 300W (Tc) 110W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel

AUIRF4905STRL Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRF4905STRL PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRF4905STRL - Infineon Technologies herunter.

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