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AUIRF7103QTR Image
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AUIRF7103QTR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRF7103QTR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRF7103QTR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
AUIRF7103QTR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 46330

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Anzahl

Spezifikation

AUIRF7103QTR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRF7103QTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRF7103QTR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V  
Leistung - max 2.4W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 255pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer AUIRF7103  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRF7103QTR.

Produkteigenschaften AUIRF7103QTR AUIRF7309QTR AUIRF7313QTR AUIRF7316QTR
Artikelnummer AUIRF7103QTR AUIRF7309QTR AUIRF7313QTR AUIRF7316QTR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V 25nC @ 4.5V 33nC @ 10V 34nC @ 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 2.4W 1.4W 2.4W 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V 50mOhm @ 2.4A, 10V 29mOhm @ 6.9A, 10V 58mOhm @ 4.9A, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundproduktnummer AUIRF7103 AUIRF7309 AUIRF7313 AUIRF7316
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 255pF @ 25V 520pF @ 15V 755pF @ 25V 710pF @ 25V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50V 30V 30V 30V
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A 4A, 3A 6.9A -

AUIRF7103QTR Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRF7103QTR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRF7103QTR - Infineon Technologies herunter.

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