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AUIRF7319Q - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRF7319Q
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRF7319Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
AUIRF7319Q.pdf
vorrätig: 4650

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Anzahl

Spezifikation

AUIRF7319Q Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRF7319Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRF7319Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A, 4.9A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer AUIRF7319  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRF7319Q.

Produkteigenschaften AUIRF7319Q AUIRF7309QTR AUIRF7342QTR AUIRF7379Q
Artikelnummer AUIRF7319Q AUIRF7309QTR AUIRF7342QTR AUIRF7379Q
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V 50mOhm @ 2.4A, 10V 105mOhm @ 3.4A, 10V 45mOhm @ 5.8A, 10V
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 55V 30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A, 4.9A 4A, 3A 3.4A 5.8A, 4.3A
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leistung - max 2W 1.4W 2W 2.5W
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V 25nC @ 4.5V 38nC @ 10V 25nC @ 10V
Grundproduktnummer AUIRF7319 AUIRF7309 AUIRF7342 AUIRF7379
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V 520pF @ 15V 690pF @ 25V 520pF @ 25V

AUIRF7319Q Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRF7319Q PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRF7319Q - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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