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AUIRF7309QTR Image
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AUIRF7309QTR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRF7309QTR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRF7309QTR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
AUIRF7309QTR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 41550

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Anzahl

Spezifikation

AUIRF7309QTR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRF7309QTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRF7309QTR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.4A, 10V  
Leistung - max 1.4W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A, 3A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer AUIRF7309  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRF7309QTR.

Produkteigenschaften AUIRF7309QTR AUIRF7316Q AUIRF7103QTR AUIRF7319Q
Artikelnummer AUIRF7309QTR AUIRF7316Q AUIRF7103QTR AUIRF7319Q
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Konfiguration N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.4A, 10V 58mOhm @ 4.9A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V 29mOhm @ 5.8A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V 34nC @ 10V 15nC @ 10V 33nC @ 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A, 3A - 3A 6.5A, 4.9A
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer AUIRF7309 AUIRF7316 AUIRF7103 AUIRF7319
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Leistung - max 1.4W 2W 2.4W 2W
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 50V 30V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 15V 710pF @ 25V 255pF @ 25V 650pF @ 25V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET®

AUIRF7309QTR Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRF7309QTR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRF7309QTR - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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