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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRFR5305TRL
AUIRFR5305TRL Image
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AUIRFR5305TRL - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRFR5305TRL
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRFR5305TRL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
AUIRFR5305TRL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 21194

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Anzahl

Spezifikation

AUIRFR5305TRL Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRFR5305TRL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRFR5305TRL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3  
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 16A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc)  
Grundproduktnummer AUIRFR5305  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRFR5305TRL.

Produkteigenschaften AUIRFR5305TRL AUIRFR5410 AUIRFR540Z AUIRFR48Z
Artikelnummer AUIRFR5305TRL AUIRFR5410 AUIRFR540Z AUIRFR48Z
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 D-Pak DPAK D-Pak
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 16A, 10V 205mOhm @ 7.8A, 10V 28.5mOhm @ 21A, 10V 11mOhm @ 37A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 50µA 4V @ 50µA
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Bulk Bulk
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc) 13A (Tc) 35A (Tc) 42A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V 760 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V 1720 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 66W (Tc) 91W (Tc) 91W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 100 V 100 V 55 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer AUIRFR5305 - - -

AUIRFR5305TRL Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRFR5305TRL PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRFR5305TRL - Infineon Technologies herunter.

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