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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRFR5410
AUIRFR5410 Image
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AUIRFR5410 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRFR5410
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRFR5410
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
AUIRFR5410.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4830

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Anzahl

Spezifikation

AUIRFR5410 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRFR5410 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRFR5410

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 205mOhm @ 7.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 66W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRFR5410.

Produkteigenschaften AUIRFR5410 AUIRFR8401 AUIRFR540Z AUIRFR4620TRL
Artikelnummer AUIRFR5410 AUIRFR8401 AUIRFR540Z AUIRFR4620TRL
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 205mOhm @ 7.8A, 10V 4.25mOhm @ 60A, 10V 28.5mOhm @ 21A, 10V 78mOhm @ 15A, 10V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak DPAK D-PAK (TO-252AA)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 40 V 100 V 200 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3.9V @ 50µA 4V @ 50µA 5V @ 100µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V 1710 pF @ 50 V
Verlustleistung (max) 66W (Tc) 79W (Tc) 91W (Tc) 144W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tube Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc) 100A (Tc) 35A (Tc) 24A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

AUIRFR5410 Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRFR5410 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRFR5410 - Infineon Technologies herunter.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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